IXTA08N100D2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.57 грн |
| 4+ | 107.1 грн |
| 10+ | 85.54 грн |
| 27+ | 80.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA08N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTA08N100D2 за ціною від 84.17 грн до 219.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTA08N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Gate charge: 325nC Kind of channel: depleted Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A On-state resistance: 21Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA08N100D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
на замовлення 3690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA08N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA |
на замовлення 548 шт: термін постачання 392-401 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA08N100D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA08N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |