Продукція > IXYS > IXTA102N15T
IXTA102N15T

IXTA102N15T IXYS


DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.09 грн
10+ 278.59 грн
100+ 228.24 грн
500+ 182.34 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA102N15T IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 455W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA102N15T за ціною від 190.94 грн до 340.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA102N15T IXTA102N15T Виробник : IXYS ixyss04503_1-2272140.pdf MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+340.37 грн
10+ 290.98 грн
50+ 244.35 грн
100+ 205.62 грн
250+ 199.62 грн
500+ 190.94 грн