на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 281.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA130N10T7 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchMV™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 130A, Pulsed drain current: 350A, Power dissipation: 360W, Case: TO263-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.1mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 104nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 77ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTA130N10T7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA130N10T7 | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchMV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 77ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IXTA130N10T7 | Виробник : IXYS |
MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds |
товар відсутній |
|
| IXTA130N10T7 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchMV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 77ns |
товар відсутній |