IXTA140N12T2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 347.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA140N12T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 577W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA140N12T2 за ціною від 238.53 грн до 452.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA140N12T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 140A Power dissipation: 577W Case: TO263 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 174nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 65ns |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTA140N12T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 140A Power dissipation: 577W Case: TO263 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 174nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 65ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA140N12T2 | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTA140N12T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2 |
товар відсутній |