Продукція > IXYS > IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta1r6n100d2hv_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.87 грн
50+ 279.87 грн
100+ 239.89 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA1R6N100D2HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IXTA1R6N100D2HV за ціною від 219.64 грн до 398.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Виробник : IXYS media-3321408.pdf MOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+398.79 грн
10+ 340.12 грн
50+ 270.38 грн
100+ 231.66 грн
250+ 223.65 грн
500+ 219.64 грн
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Виробник : Littelfuse s_n-channel_depletion_mode_ixta1r6n100d2hv_datasheet.pdf.pdf High Voltage Depletion Mode MOSFET
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HV Виробник : Littelfuse s_n-channel_depletion_mode_ixta1r6n100d2hv_datasheet.pdf.pdf High Voltage Depletion Mode MOSFET
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Виробник : IXYS IXTA1R6N100D2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 970ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Виробник : Littelfuse s_n-channel_depletion_mode_ixta1r6n100d2hv_datasheet.pdf.pdf High Voltage Depletion Mode MOSFET
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV Виробник : IXYS IXTA1R6N100D2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 970ns
товар відсутній