Продукція > IXYS > IXTA24P085T
IXTA24P085T

IXTA24P085T IXYS

IXT_24P085T.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 83W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -85V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.96 грн
9+ 97.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA24P085T IXYS

Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA24P085T за ціною від 79.49 грн до 185.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA24P085T IXTA24P085T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.54 грн
50+ 137.9 грн
100+ 118.19 грн
500+ 98.59 грн
1000+ 84.42 грн
2000+ 79.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA24P085T IXTA24P085T Виробник : IXYS IXT_24P085T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 83W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -85V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.13 грн
3+ 159.46 грн
9+ 116.83 грн
23+ 110.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA24P085T IXTA24P085T Виробник : IXYS ixyss09006_1-2272468.pdf MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)