IXTA26P20P IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 435.87 грн |
3+ | 289.99 грн |
8+ | 274 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA26P20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 26, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PolarP, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції IXTA26P20P за ціною від 309.77 грн до 523.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA26P20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 26 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarP Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTA26P20P | Виробник : IXYS | MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO263 Reverse recovery time: 240ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTA26P20P Код товару: 162385 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IXTA26P20P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTA26P20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
товар відсутній |