Технічний опис IXTA3N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 3A, Power dissipation: 125W, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate charge: 36nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 820ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTA3N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N100P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
 |
IXTA3N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 820ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTA3N100P | Виробник : IXYS |
MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXTA3N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 820ns |
товар відсутній |