на замовлення 1580 шт:
термін постачання 306-315 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 600.52 грн |
| 10+ | 504.41 грн |
| 25+ | 432.61 грн |
| 100+ | 364.52 грн |
| 250+ | 360.51 грн |
| 500+ | 318.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N120-TRL IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, directShipCharge: 25, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTA3N120-TRL за ціною від 405.7 грн до 632.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N120-TRL | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AAtariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTA3N120-TRL | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTA3N120-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTA3N120-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTA3N120-TRL | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTA3N120-TRL | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |