IXTA52P10P IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 418.65 грн |
3+ | 349.8 грн |
4+ | 269.13 грн |
9+ | 254.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA52P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTA52P10P за ціною від 229.5 грн до 502.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA52P10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTA52P10P | Виробник : IXYS | MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTA52P10P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTA52P10P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263 Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 308 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTA52P10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IXTA52P10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |