на замовлення 1050 шт:
термін постачання 462-471 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 598.96 грн |
| 10+ | 534.36 грн |
| 50+ | 442.63 грн |
| 100+ | 383.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA6N100D2 за ціною від 424.02 грн до 616.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA6N100D2 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTA6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXTA6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 41ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXTA6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 41ns |
товар відсутній |