Продукція > IXYS > IXTA76P10T
IXTA76P10T

IXTA76P10T IXYS

IXT_76P10T_HV.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.71 грн
3+ 314.33 грн
4+ 251.05 грн
9+ 237.14 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA76P10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції IXTA76P10T за ціною від 200.63 грн до 481.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.42 грн
50+ 321.11 грн
100+ 287.3 грн
500+ 237.9 грн
1000+ 214.11 грн
2000+ 200.63 грн
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+419.4 грн
5+ 389.44 грн
10+ 359.48 грн
50+ 305.99 грн
100+ 256.77 грн
250+ 251.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+447.51 грн
10+ 394.27 грн
25+ 390 грн
50+ 346.45 грн
100+ 256.37 грн
1000+ 211.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+452.05 грн
3+ 391.71 грн
4+ 301.26 грн
9+ 284.57 грн
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS media-3319760.pdf MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+453.31 грн
10+ 416.12 грн
50+ 302.43 грн
100+ 277.73 грн
250+ 265.71 грн
500+ 260.37 грн
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+481.93 грн
28+ 420 грн
50+ 373.1 грн
100+ 276.09 грн
1000+ 228.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA76P10T
Код товару: 198462 		littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній