IXTA80N075L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 883.95 грн |
| 50+ | 688.98 грн |
| 100+ | 648.45 грн |
| 500+ | 551.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA80N075L2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTA80N075L2 за ціною від 589.03 грн до 1159.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA80N075L2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns Mounting: SMD On-state resistance: 24mΩ Reverse recovery time: 160ns Power dissipation: 357W Gate charge: 103nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: linear power mosfet Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO263 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA80N075L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MOSFET N CHANNEL |
на замовлення 3777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA80N075L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA80N075L2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns Mounting: SMD On-state resistance: 24mΩ Reverse recovery time: 160ns Power dissipation: 357W Gate charge: 103nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: linear power mosfet Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA80N075L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |