на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.86 грн |
| 10+ | 174.28 грн |
| 100+ | 119.5 грн |
| 250+ | 115.5 грн |
| 500+ | 108.15 грн |
| 1000+ | 106.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA90N055T2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 90A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, On-state resistance: 8.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 42nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 37ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTA90N055T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA90N055T2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
 |
IXTA90N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 37ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTA90N055T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
товар відсутній |
|
|
|
IXTA90N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: TO263 On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 37ns |
товар відсутній |