IXXH110N65C4 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 636.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH110N65C4 IXYS
Description: IGBT 650V 234A 880W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 234 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 880 W.
Інші пропозиції IXXH110N65C4 за ціною від 420.17 грн до 810.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 650V 234A 880W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 234 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 880 W |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 110A Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 880 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235 Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXXH110N65C4 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |