Продукція > IXYS > IXyH100N65C3
IXyH100N65C3

IXyH100N65C3 IXYS

IXYH100N65C3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 420A
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+731.7 грн
2+ 462.46 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXyH100N65C3 IXYS

Description: IGBT PT 650V 200A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns, Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXyH100N65C3 за ціною від 395.54 грн до 878.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 650V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+771.29 грн
30+ 593.18 грн
120+ 530.75 грн
510+ 439.49 грн
1020+ 395.54 грн
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 Виробник : IXYS media-3321410.pdf IGBT Transistors 650V/200A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+838.86 грн
10+ 708.64 грн
30+ 558.79 грн
120+ 512.73 грн
270+ 445.97 грн
510+ 439.96 грн
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 Виробник : IXYS IXYH100N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 100A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 420A
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+878.04 грн
2+ 576.3 грн
5+ 524.91 грн
IXYH100N65C3 IXYH100N65C3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXYH100N65C3 IXYH100N65C3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній