Продукція > IXYS > IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1 IXYS


IXYH50N120C3d1.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+924.92 грн
2+ 614.06 грн
4+ 580.68 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYH50N120C3D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 90A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 142 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A, Power - Max: 625 W.

Інші пропозиції IXYH50N120C3D1 за ціною від 696.82 грн до 1109.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : IXYS media-3320967.pdf IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1005.54 грн
10+ 990.4 грн
30+ 756.41 грн
60+ 755.07 грн
120+ 708.34 грн
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : IXYS IXYH50N120C3d1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 142nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1109.91 грн
2+ 765.22 грн
4+ 696.82 грн
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : Ixys Corporation ttelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 625 W
товар відсутній