IXYH50N65C3D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH50N65C3D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 600W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 250A, Mounting: THT, Gate charge: 86nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 56ns, Turn-off time: 145ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXYH50N65C3D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYH50N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT |
товар відсутній |
|
 |
IXYH50N65C3D1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD |
товар відсутній |
|
|
|
IXYH50N65C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns |
товар відсутній |