IXYH82N120C3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 1250 W
Description: IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/192ns
Switching Energy: 4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A
Power - Max: 1250 W
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1289.09 грн |
30+ | 1004.99 грн |
120+ | 945.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYH82N120C3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXYH82N120C3 за ціною від 940.67 грн до 1400.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYH82N120C3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH82N120C3 - IGBT, 82 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYH82N120C3 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 1200V/160A |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYH82N120C3 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXYH82N120C3 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 1250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXYH82N120C3 | Виробник : IXYS | IXYH82N120C3 THT IGBT transistors |
товар відсутній |