Продукція > IXYS > IXYP20N120C4
IXYP20N120C4

IXYP20N120C4 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=3c16feb5-2ff7-4546-a254-e439f5e43f0d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n120c4_datasheet.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+936.68 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYP20N120C4 IXYS

Description: IGBT DISCRETE TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220 (IXYP), Td (on/off) @ 25°C: 14ns/160ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 44 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 68 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції IXYP20N120C4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYP20N120C4 IXYP20N120C4 Виробник : IXYS media-3320238.pdf IGBT Transistors IGBT DISCRETE
товар відсутній