Продукція > LITTELFUSE > IXYP20N65C3D1
IXYP20N65C3D1

IXYP20N65C3D1 Littelfuse

ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYP20N65C3D1 Littelfuse

Description: IGBT 650V 18A 50W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 135 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns, Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXYP20N65C3D1 за ціною від 117.5 грн до 265.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.47 грн
3+ 164.82 грн
7+ 132.83 грн
17+ 125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.16 грн
3+ 205.39 грн
7+ 159.39 грн
17+ 150.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS media-3319979.pdf IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.04 грн
10+ 219.58 грн
50+ 179.59 грн
100+ 154.22 грн
250+ 145.54 грн
500+ 136.86 грн
1000+ 117.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : LITTELFUSE littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+265.12 грн
10+ 238.16 грн
50+ 216.44 грн
100+ 181.51 грн
500+ 141.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 18A 50W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній