IXYX100N120C3 Littelfuse
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1137.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYX100N120C3 Littelfuse
Description: IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns, Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 188 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A, Power - Max: 1150 W.
Інші пропозиції IXYX100N120C3 за ціною від 1150.96 грн до 1868.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYX100N120C3 | Виробник : IXYS |
 IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXYX100N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 100A Power dissipation: 1.15kW Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 490A Mounting: THT Gate charge: 260C Kind of package: tube Turn-on time: 143ns Turn-off time: 271ns |
товар відсутній |
|||||||||||||
.jpg "IXYX100N120C3") |
IXYX100N120C3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PLUS247™-3 Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off) Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 188 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A Power - Max: 1150 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXYX100N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 100A Power dissipation: 1.15kW Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 490A Mounting: THT Gate charge: 260C Kind of package: tube Turn-on time: 143ns Turn-off time: 271ns |
товар відсутній |