JAN1N3600 Microchip / Microsemi
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 281.18 грн |
| 10+ | 276.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N3600 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-7, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/231.
Інші пропозиції JAN1N3600
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N3600 | Виробник : Microsemi |
 Rectifier Diode Switching 50V 0.2A 4ns 2-Pin DO-7 Bag |
товар відсутній |
||
 |
JAN1N3600 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-7 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/231 |
товар відсутній |