Продукція > NES > JANTXV2N3501L

JANTXV2N3501L NES


125198-lds-0276-1-datasheet Виробник: NES
84/85/
на замовлення 121 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N3501L NES

Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1 W, Qualification: MIL-PRF-19500/366.

Інші пропозиції JANTXV2N3501L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTXV2N3501L JANTXV2N3501L Виробник : Microchip Technology lds-0276-1.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray
товару немає в наявності
JANTXV2N3501L JANTXV2N3501L Виробник : Microchip Technology 125198-lds-0276-1-datasheet Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
товару немає в наявності