K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc.
Виробник: Samsung Semiconductor, Inc.
Description: DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 1.2V
Memory Format: DRAM
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 78-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 1.2V
Memory Format: DRAM
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 235.47 грн |
500+ | 210.55 грн |
1000+ | 194.36 грн |
2000+ | 167.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис K4A4G085WE-BCRC Samsung Semiconductor, Inc.
Description: DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 78-FBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 95°C, Voltage - Supply: 1.2V, Memory Format: DRAM, Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 512M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції K4A4G085WE-BCRC
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
K4A4G085WE-BCRC | Виробник : Samsung |
на замовлення 20480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
K4A4G085WE-BCRC | Виробник : Samsung Semiconductor | DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.2V 78-Pin FBGA |
товар відсутній |