KBL610G GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.64 грн |
| 10+ | 88.07 грн |
| 25+ | 66.59 грн |
| 100+ | 53.94 грн |
| 250+ | 46.88 грн |
| 500+ | 42.22 грн |
| 1000+ | 37.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KBL610G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції KBL610G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| KBL610G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBL |
товар відсутній |
||
| KBL610G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |