Продукція > SAMSUNG > KST5089-MTF

KST5089-MTF Samsung


Виробник: Samsung

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KST5089-MTF Samsung

Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 350 mW.

Інші пропозиції KST5089-MTF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
KST5089MTF KST5089MTF Виробник : ON Semiconductor kst5088.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
KST5089MTF KST5089MTF Виробник : onsemi KST5088,%205089.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній