Продукція > LITTELFUSE > LSIC1MO170E1000

LSIC1MO170E1000 Littelfuse

Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide_LSI-1391255.pdf

Виробник: Littelfuse
MOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LSIC1MO170E1000 Littelfuse

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 54W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 15A, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 450 шт.

Інші пропозиції LSIC1MO170E1000 за ціною від 507.66 грн до 507.66 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

LSIC1MO170E1000

Виробник : LITTELFUSE

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	507.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

LSIC1MO170E1000

Виробник : LITTELFUSE

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 450 шт

товар відсутній

LSIC1MO170E1000

Виробник : Littelfuse Inc.

Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L

товар відсутній

LSIC1MO170E1000

Виробник : LITTELFUSE

товар відсутній