LSIC2SD120N120PA Littelfuse
на замовлення 90 шт:
термін постачання 786-795 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8398.33 грн |
10+ | 7850.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LSIC2SD120N120PA Littelfuse
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 1200V 120A, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції LSIC2SD120N120PA
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
LSIC2SD120N120PA | Виробник : Littelfuse | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 240A 4-Pin SOT-227B Tube |
товар відсутній |
||
LSIC2SD120N120PA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 440A Load current: 60A x2 Max. forward voltage: 2.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
LSIC2SD120N120PA | Виробник : IXYS |
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 1200V 120A Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
||
LSIC2SD120N120PA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 60Ax2; SOT227B; screw Technology: SiC Case: SOT227B Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Schottky Electrical mounting: screw Type of module: diode Max. forward impulse current: 440A Load current: 60A x2 Max. forward voltage: 2.1V |
товар відсутній |