на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15749.67 грн |
10+ | 14540.01 грн |
20+ | 12236.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB40P1200LB-TUB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B, Technology: SiC, Case: SMPD-B, Mounting: SMD, On-state resistance: 34mΩ, Kind of package: tube, Gate charge: 161nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 55A, Type of transistor: N-MOSFET, Semiconductor structure: double series, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCB40P1200LB-TUB за ціною від 15055.89 грн до 16324.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MCB40P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Description: POWER MOSFET Packaging: Tube Package / Case: 9-SMD Power Module Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A Supplier Device Package: SMPD Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
MCB40P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B Technology: SiC Case: SMPD-B Mounting: SMD On-state resistance: 34mΩ Kind of package: tube Gate charge: 161nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 55A Type of transistor: N-MOSFET Semiconductor structure: double series Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
MCB40P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B Technology: SiC Case: SMPD-B Mounting: SMD On-state resistance: 34mΩ Kind of package: tube Gate charge: 161nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 55A Type of transistor: N-MOSFET Semiconductor structure: double series Polarisation: unipolar |
товар відсутній |