Технічний опис MCB60P1200TLB-TRR Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 62A; SMPD-B, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 62A, Case: SMPD-B, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 161nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: double series, кількість в упаковці: 200 шт.
Інші пропозиції MCB60P1200TLB-TRR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB60P1200TLB-TRR | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 62A; SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 62A Case: SMPD-B On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series кількість в упаковці: 200 шт |
товар відсутній |
||
| MCB60P1200TLB-TRR | Виробник : IXYS | Description: MCB60P1200TLB-TRR |
товар відсутній |
||
| MCB60P1200TLB-TRR | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET phaseleg NTC 80mO SMPD-B |
товар відсутній |
||
| MCB60P1200TLB-TRR | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 62A; SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 62A Case: SMPD-B On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 161nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series |
товар відсутній |