MDNA360UB2200PTED IXYS
Виробник: IXYSDescription: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
Packaging: Tray
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase (Braking)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: E2
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.7 kV
Current - Average Rectified (Io): 360 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 360 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12979.86 грн |
| 10+ | 11707.06 грн |
| 28+ | 11266.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDNA360UB2200PTED IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Collector current: 135A, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 280A, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MDNA360UB2200PTED за ціною від 12698.26 грн до 13753.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE |
на замовлення 54 шт: термін постачання 689-698 дні (днів) |
|
||||||
| MDNA360UB2200PTED | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Standard Rectifier Module |
товар відсутній |
||||||||
| MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 135A Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 280A Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
| MDNA360UB2200PTED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 135A Case: E2-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 280A Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |