MJD2955G ON Semiconductor
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1725+ | 25.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD2955G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.75 W.
Інші пропозиції MJD2955G за ціною від 20.06 грн до 63.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD2955G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD2955G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD2955G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD2955G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD2955G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD2955G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 3774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD2955G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJD2955G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 5...100 Collector current: 10A Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: DPAK |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJD2955G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 5...100 Collector current: 10A Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MJD2955G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD2955G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |