MMRF5014HR5 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 125V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 232W
Bauform - Transistor: NI-360H-2SB
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18079.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF5014HR5 NXP
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 125V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 232W, Bauform - Transistor: NI-360H-2SB, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Інші пропозиції MMRF5014HR5 за ціною від 27141.72 грн до 48354.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET HEMT 50V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360H-2SB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Power - Output: 125W Gain: 18dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET HEMT 50V NI360 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-360H-2SB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Power - Output: 125W Gain: 18dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 1-2690 MHz 125 W CW 50 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
MMRF5014HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R |
товар відсутній |