MMZ09332BT1 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MMZ09332BT1 - Verstärker, hohe Effizienz/Linearität, 130MHz bis 1GHz, 30.5dB Verstärkung, 3-5V, HVQFN-12, 175°C
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: -dB
Verstärkung: 30.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 130MHz
Betriebstemperatur, min.: -°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Frequenz, max.: 1GHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 472.43 грн |
| 25+ | 432.94 грн |
| 50+ | 380.56 грн |
| 100+ | 330.85 грн |
| 250+ | 304.03 грн |
| 500+ | 275.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMZ09332BT1 NXP
Description: NXP - MMZ09332BT1 - Verstärker, hohe Effizienz/Linearität, 130MHz bis 1GHz, 30.5dB Verstärkung, 3-5V, HVQFN-12, 175°C, tariffCode: 85423390, rohsCompliant: YES, Rauschmaß, typ.: -dB, Verstärkung: 30.5dB, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Frequenz, min.: 130MHz, Betriebstemperatur, min.: -°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 12Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Frequenz, max.: 1GHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMZ09332BT1 за ціною від 275.92 грн до 597.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Broadband Amp 1GHz 5V 12-Pin HVQFN EP T/R |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 130MHz ~ 1GHz RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA Voltage - Supply: 5V Gain: 31dB Current - Supply: 240mA P1dB: 32dBm Test Frequency: 1GHz Supplier Device Package: 12-QFN (3x3) Part Status: Active |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MMZ09332BT1 - Verstärker, hohe Effizienz/Linearität, 130MHz bis 1GHz, 30.5dB Verstärkung, 3-5V, HVQFN-12, 175°C tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: -dB Verstärkung: 30.5dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 130MHz Betriebstemperatur, min.: -°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 12Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Frequenz, max.: 1GHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier InGaP HBT Linear Amplifier, 130-1000 MHz, 30 dB, 33 dBm |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Broadband Amp 1GHz 5V 12-Pin HVQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Broadband Amp 1GHz 5V 12-Pin HVQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Broadband Amp 1GHz 5V 12-Pin HVQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMZ09332BT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 130MHz ~ 1GHz RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA Voltage - Supply: 5V Gain: 31dB Current - Supply: 240mA P1dB: 32dBm Test Frequency: 1GHz Supplier Device Package: 12-QFN (3x3) Part Status: Active |
товар відсутній |