MSC090SDA330B2 MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC090SDA330B2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAX
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 927nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 184A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MICROCHIP - MSC090SDA330B2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAX
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 927nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 184A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24478.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC090SDA330B2 MICROCHIP
Description: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V, Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 184A.
Інші пропозиції MSC090SDA330B2 за ціною від 26050.97 грн до 26050.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC090SDA330B2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 184A |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MSC090SDA330B2 | Виробник : Microchip Technology | SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX |
товар відсутній |
||||||
MSC090SDA330B2 | Виробник : Microchip Technology | SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX |
товар відсутній |
||||||
MSC090SDA330B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) | MSC090SDA330B2 THT Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||
MSC090SDA330B2 | Виробник : Microchip Technology | Schottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX |
товар відсутній |