Продукція > IXYS > MWI50-06A7
MWI50-06A7

MWI50-06A7 IXYS


MWI50-06A7_MWI50-06A7T-1110497.pdf Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V
на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MWI50-06A7 IXYS

Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.

Інші пропозиції MWI50-06A7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MWI50-06A7 Виробник : IXYS 75A/600V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7 Виробник : ABB 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MWI50-06A7 MWI50-06A7 Виробник : Littelfuse viewer.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 72A 225W 18-Pin E2
товар відсутній
MWI50-06A7 Виробник : IXYS Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товар відсутній