N0608N-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 50.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 30.06 грн |
| 6000+ | 27.57 грн |
| 9000+ | 26.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис N0608N-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 50.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції N0608N-ZK-E1-AY за ціною від 26.9 грн до 79.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
N0608N-ZK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: ABU / MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 50.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| N0608N-ZK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET P. TRANS. N-CH POWER MOSFET 60V TO-252 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|