NDB6030PL Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Description: 30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
на замовлення 10625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
307+ | 65.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDB6030PL Fairchild Semiconductor
Description: 30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NDB6030PL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NDB6030PL | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
NDB6030PL | Виробник : Fairchild |
на замовлення 41600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
NDB6030PL | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |