Продукція > ONSEMI > NJVMJD128T4G
NJVMJD128T4G

NJVMJD128T4G onsemi

mjd128-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.74 грн
10+ 43.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD128T4G onsemi

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції NJVMJD128T4G за ціною від 17.6 грн до 54.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJVMJD128T4G Виробник : onsemi MJD128_D-2316056.pdf Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.79 грн
10+ 47.67 грн
100+ 28.7 грн
500+ 23.98 грн
1000+ 20.86 грн
2500+ 18.6 грн
5000+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
NJVMJD128T4G Виробник : ON Semiconductor mjd128-d.pdf
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJVMJD128T4G NJVMJD128T4G Виробник : onsemi mjd128-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній