NSF080120L3A0Q NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 931.45 грн |
2+ | 750.06 грн |
3+ | 709.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF080120L3A0Q NEXPERIA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 183W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -10...22V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: THT, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NSF080120L3A0Q за ціною від 658.28 грн до 1117.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia | MOSFET BIPOLAR |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
товар відсутній |