Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTHL075N065SC1
NTHL075N065SC1

NTHL075N065SC1 ON Semiconductor

nthl075n065sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+481.3 грн
10+ 410.52 грн
25+ 359.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHL075N065SC1 ON Semiconductor

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NTHL075N065SC1 за ціною від 287.81 грн до 642.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl075n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+518.32 грн
27+ 442.1 грн
31+ 387.07 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl075n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+593.68 грн
25+ 566.26 грн
50+ 543.47 грн
100+ 505.59 грн
250+ 453.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : onsemi NTHL075N065SC1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+599.27 грн
30+ 460.62 грн
120+ 412.15 грн
510+ 341.28 грн
1020+ 307.15 грн
2010+ 287.81 грн
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : onsemi NTHL075N065SC1_D-3150380.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+642.45 грн
10+ 543.13 грн
25+ 427.78 грн
100+ 393.24 грн
250+ 369.99 грн
450+ 346.74 грн
900+ 312.2 грн
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl075n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nthl075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTHL075N065SC1 Виробник : ONSEMI NTHL075N065SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній