Продукція > ONSEMI > NVB190N65S3F
NVB190N65S3F

NVB190N65S3F ONSEMI

ONSM-S-A0013579389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+165.43 грн
500+ 135.62 грн
800+ 107.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB190N65S3F ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 162W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVB190N65S3F за ціною від 107.94 грн до 275.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : onsemi nvb190n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.37 грн
10+ 205.44 грн
100+ 166.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+272.73 грн
10+ 204.92 грн
100+ 165.43 грн
500+ 135.62 грн
800+ 107.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : onsemi NVB190N65S3F_D-2319312.pdf MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.89 грн
10+ 228.41 грн
100+ 161.41 грн
800+ 124.88 грн
2400+ 118.24 грн
4800+ 114.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : onsemi nvb190n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній