NVBG040N120SC1 ON Semiconductor
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 1137.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG040N120SC1 ON Semiconductor
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVBG040N120SC1 за ціною від 1734.79 грн до 3153.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBG040N120SC1 | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG040N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG040N120SC1 | Виробник : onsemi |
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
NVBG040N120SC1 Код товару: 179416 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
NVBG040N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |