NVD5C464NT4G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 76.01 грн |
500+ | 47.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVD5C464NT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVD5C464NT4G за ціною від 47.74 грн до 105.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NVD5C464NT4G | Виробник : onsemi | MOSFET T6 40V SL DPAK |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
NVD5C464NT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
NVD5C464NT4G | Виробник : ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK |
на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
NVD5C464NT4G | Виробник : ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |