NVH4L160N120SC1 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 777.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L160N120SC1 ONSEMI
Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 111W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVH4L160N120SC1 за ціною від 476.27 грн до 1376.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVH4L160N120SC1 | Виробник : onsemi |
MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVH4L160N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|