Технічний опис NVMFD5877NLT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 12W; DFN8; 5x6mm, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, Power dissipation: 12W, Case: DFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 39mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Dimensions: 5x6mm, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції NVMFD5877NLT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFD5877NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
NVMFD5877NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 12W; DFN8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 12W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
NVMFD5877NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 12W; DFN8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 12W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm |
товар відсутній |