на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008PBK,215 NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NX3008PBK,215 за ціною від 1.79 грн до 17.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -30V Drain current: -230mA On-state resistance: 4.1Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -30V Drain current: -230mA On-state resistance: 4.1Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX3008PBK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 437696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 142695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NX3008PBK.215 Код товару: 118882 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |