NXH020U90MNF2PTG onsemi
Виробник: onsemiDescription: SIC 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13648.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH020U90MNF2PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module, tariffCode: 85414900, Drain-Source-Spannung Vds: 900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 20, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NXH020U90MNF2PTG за ціною від 11518.9 грн до 18369.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH020U90MNF2PTG | Виробник : onsemi |
Discrete Semiconductor Modules SiC Modules, Vienna Module 900V, 2 x 10 mohm SiC MOSFET, 1200V, 2 x 100A, F2 Package |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXH020U90MNF2PTG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module tariffCode: 85414900 Drain-Source-Spannung Vds: 900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul euEccn: NLR Verlustleistung: 352 Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NXH020U90MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
SiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||
| NXH020U90MNF2PTG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Drain current: 149A On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 352W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Pulsed drain current: 447A Case: PIM20 Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| NXH020U90MNF2PTG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W Drain current: 149A On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 352W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: -8...18V Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier Pulsed drain current: 447A Case: PIM20 Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 900V |
товар відсутній |