NXV08H300DT1 onsemi
на замовлення 40 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4896.25 грн |
| 10+ | 4374.84 грн |
| 25+ | 3672.68 грн |
| 40+ | 3541.16 грн |
| 120+ | 3410.3 грн |
| 280+ | 3376.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXV08H300DT1 onsemi
Description: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA, Packaging: Tube, Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 765µOhm @ 160A, 12V, 580µOhm @ 160A, 12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: APM17-MDC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NXV08H300DT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXV08H300DT1 | Виробник : ON Semiconductor |
 Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET MODULE |
товар відсутній |
||
| NXV08H300DT1 | Виробник : onsemi |
Description: APM17-MDC, MV7 80V, AL2O3, 2 PHA Packaging: Tube Package / Case: 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30150pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 765µOhm @ 160A, 12V, 580µOhm @ 160A, 12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 502nC @ 12V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA Supplier Device Package: APM17-MDC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |